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◎ 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

IGBT的核心優(yōu)勢(shì)，可概括為以下四點(diǎn)：

1. 高壓能力

IGBT的耐受電壓可達(dá)6500V以上，是MOS管的5-10倍，完美適配新能源車、高鐵等高壓場(chǎng)景。

2. 高效節(jié)能

IGBT的導(dǎo)通損耗比MOS管降低約50%，關(guān)斷速度優(yōu)于晶閘管，在變頻器、逆變器中顯著提升能效。

3. 高速開關(guān)

部分型號(hào)每秒開關(guān)頻率高達(dá)100kHz，精準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)電能形態(tài)轉(zhuǎn)換，支撐電機(jī)調(diào)速、智能電網(wǎng)等高精度控制。

4. 高可靠性

IGBT集成溫度保護(hù)、短路保護(hù)功能，配合模塊化封裝技術(shù)，在工業(yè)級(jí)惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行數(shù)萬(wàn)小時(shí)。

◎ 替代型號(hào)

JJT60N65HE可替代下記友商型號(hào)：

1. CRG60T65AK5SD(華潤(rùn)微-CRMICRO)

2. CRG60T65AK5HD(華潤(rùn)微-CRMICRO)

◎ 主要參數(shù)

JJT60N65HE的重要參數(shù)包括：

品類: IGBT分立器件

型號(hào): JJT60N65HE

封裝: TO-247

電壓: 650V

電流: 60A