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◎ 知識科普

MOS管和IGBT有啥區(qū)別？

MOS管和IGBT是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件，主要區(qū)別有以下3點(diǎn)：

1.結(jié)構(gòu)

MOS管是單極型器件，僅依賴電子或空穴導(dǎo)電。

IGBT是雙極型器件，既有MOS管的柵極結(jié)構(gòu)，又有雙極型晶體管的PN結(jié)。

2.工作特性

MOS管開關(guān)速度快，適合高頻應(yīng)用，但導(dǎo)通電阻較大，損耗較高，耐壓在1000V以下。IGBT的導(dǎo)通電阻和損耗小，電壓可達(dá)6.5KV，適合高電壓、大電流場景，但開關(guān)速度較慢。

3.應(yīng)用場景

MOS管常用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理、消費(fèi)電子，汽車電子等。IGBT多用于高功率領(lǐng)域，如變頻器、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等。

◎ 替代型號

JJT25N120SE可替代下記友商型號：

1.CRG25T120BK3SD(華潤)

2.IKW25N120T2(英飛凌-Infineon)

◎ 主要參數(shù)

JJT25N120SE的重要參數(shù)包括：

品類: IGBT單管

型號: JJT25N120SE

封裝: TO-247

電壓: 1200V

電流: 25A