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捷捷微可控硅
JST23H-8E
品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 高結(jié)溫雙向可控硅
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JST23H-8E 高節(jié)溫雙向可控硅 IT(RMS):25A VDRM/VRRM:800V IGT:50/50/50mA TO-263 高節(jié)溫雙向可控硅工作結(jié)溫 TJ = -40 ~ 150°C，擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載、環(huán)境溫度較高的場(chǎng)景！可替代下記友商型號(hào)：1、BTA225B-800BT（瑞能-WeEn）
  • 詳情介紹
    • 產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)
    型號(hào)JST23H-8E
    封裝 TO-263
    電流(A) 25
    浪涌電流(A) 250
    斷態(tài)峰值電壓(V) 800
    觸發(fā)電流I(mA) 50
    觸發(fā)電流II(mA) 50
    觸發(fā)電流III(mA) 50
    觸發(fā)電流IV(mA)
    結(jié)溫(°C) 150
    替代友商型號(hào) BTA225B-800BT
    備注Not for New Design
    詳情介紹

    JST23H-8E  高節(jié)溫雙向可控硅 IT(RMS):25A   VDRM/VRRM:800V   IGT:50/50/50mA   TO-263  高節(jié)溫雙向可控硅工作結(jié)溫 TJ = -40 ~ 150°C，擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載、環(huán)境溫度較高的場(chǎng)景！


    可替代下記友商型號(hào)：

    1、BTA225B-800BT（瑞能-WeEn）


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