型號 | T0835H-6E |
封裝 | TO-263 |
電流(A) | 8 |
浪涌電流(A) | 80 |
斷態(tài)峰值電壓(V) | 600 |
觸發(fā)電流I(mA) | 35 |
觸發(fā)電流II(mA) | 35 |
觸發(fā)電流III(mA) | 35 |
觸發(fā)電流IV(mA) | |
結(jié)溫(°C) | 150 |
替代友商型號 | T835H-6G, BTA410Y-600CT |
備注 | Not for New Design |
T0835H-6E 高節(jié)溫雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:600V IGT:35/35/35mA TO-263 高節(jié)溫雙向可控硅工作結(jié)溫 TJ = -40 ~ 150°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強;可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載、環(huán)境溫度較高的場景!
可替代下記友商型號:
1、T835H-6G(意法-ST);
2、BTA410Y-600CT(瑞能-WeEn)
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