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捷捷微可控硅
T0835H-8H
品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 高結(jié)溫雙向可控硅
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T0835H-8H 高節(jié)溫雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA TO-251 高節(jié)溫雙向可控硅工作結(jié)溫 TJ = -40 ~ 150°C，擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載、環(huán)境溫度較高的場景！
  • 詳情介紹
    • 產(chǎn)品型號參數(shù)
    型號T0835H-8H
    封裝 TO-251
    電流(A) 8
    浪涌電流(A) 80
    斷態(tài)峰值電壓(V) 800
    觸發(fā)電流I(mA) 35
    觸發(fā)電流II(mA) 35
    觸發(fā)電流III(mA) 35
    觸發(fā)電流IV(mA)
    結(jié)溫(°C) 150
    替代友商型號
    備注Not for New Design
    詳情介紹

    T0835H-8H   高節(jié)溫雙向可控硅 IT(RMS):8A   VDRM/VRRM:800V   IGT:35/35/35mA   TO-251  高節(jié)溫雙向可控硅工作結(jié)溫 TJ = -40 ~ 150°C，擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載、環(huán)境溫度較高的場景！

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