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捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅|雙向可控硅
ACJT01V-800TW
品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅
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ACJT01V-800TW 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A VDRM/VRRM: 800V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:5/5/5mA SOT-223 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！
  • 詳情介紹
    • 產(chǎn)品型號參數(shù)
    型號ACJT01V-800TW
    封裝 SOT-223
    電流(A) 1
    浪涌電流(A) 15
    斷態(tài)峰值電壓(V) 800
    觸發(fā)電流I(mA) 5
    觸發(fā)電流II(mA) 5
    觸發(fā)電流III(mA) 5
    觸發(fā)電流IV(mA)
    結溫(°C) 125
    替代友商型號
    備注Not for New Design
    詳情介紹

    ACJT01V-800TW  捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):1A   VDRM/VRRM: 800V   IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:5/5/5mA   SOT-223   捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！

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