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ACJT02H-1000SW

品牌分類：捷捷微 > 可控硅 > 雙向可控硅 > 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅

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ACJT02H-1000SW 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):2A VDRM/VRRM: 1000V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA TO-251 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)?？梢猿惺茌^大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！

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詢盤報(bào)價(jià)

詳情介紹

產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)

型號(hào)	ACJT02H-1000SW
封裝	TO-251
電流(A)	2
浪涌電流(A)	25
斷態(tài)峰值電壓(V)	1000
觸發(fā)電流I(mA)	10
觸發(fā)電流II(mA)	10
觸發(fā)電流III(mA)	10
觸發(fā)電流IV(mA)
結(jié)溫(°C)	125
替代友商型號(hào)
備注	Not for New Design

詳情介紹

ACJT02H-1000SW 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):2A VDRM/VRRM: 1000V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA TO-251 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強(qiáng)。可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負(fù)載，電磁干擾較嚴(yán)重的場合！