型號(hào) | ACJT210-8K |
封裝 | TO-252 |
電流(A) | 2 |
浪涌電流(A) | 25 |
斷態(tài)峰值電壓(V) | 800 |
觸發(fā)電流I(mA) | 10 |
觸發(fā)電流II(mA) | 10 |
觸發(fā)電流III(mA) | 10 |
觸發(fā)電流IV(mA) | |
結(jié)溫(°C) | 125 |
替代友商型號(hào) | ACST210-8B, ACTT2S-800E |
備注 | Preferred |
ACJT210-8K 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):2A VDRM/VRRM: 800V IGTⅠ/Ⅱ/Ⅲ:10/10/10mA TO-252 捷捷微瞬態(tài)抑制型雙向可控硅擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)??梢猿惺茌^大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場(chǎng)合!
可替代下記友商型號(hào):
1、ACST210-8B(意法-ST);
2、ACTT2S-800E(瑞能-WeEn)
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